檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "陳炤彰".cadvisor (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
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隨著電子電力系統需求的規格逐年提升，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）被視為未來高功率元件的理想材料，但因SiC本身的高硬度及高抗化學性，使其在化學機械拋光（Chemical Mec…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料，因此在高功率元件市場上有較大之需求，然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質，使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…
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薄膜因具有結構微型化及與傳統塊材相異且特殊的物理及化學性質，因而被廣泛地應用於半導體、光機電工程等領域上，但是，薄膜材料當中的殘留應力會顯著的影響其材料性能，而在薄膜生長的製程及晶圓製造中針對表面加…
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在半導體元件製程應用上，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)為其重要製程之一，它透過研磨墊、漿粒、晶圓三者間彼此交互作用，使晶圓達到平坦化之效果以利後…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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本研究為探討搖臂式修整後拋光墊接觸面積對於CMP的影響，首先建立量測接觸面積之方法，接著探討修整與接觸面積之間的關係，利用拋光墊的粗糙度、承載面積比與接觸面積進行相關性分析，因為粗糙度與承載面積比經…
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澳洲聯邦科學暨工業研究院與德國聯邦物理技術研究院使用 Cup-type球拋機搭配氧化鋁磨料研光和粗拋與酸性的二氧化鈦拋光液精拋製出單晶矽晶球，並在2019 成為最新的國際質量原器。本研究自行設計四旋…
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術，但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時，易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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半導體元件是由數層不同的厚度且材質互異的薄膜所構成，鎢薄膜做為柱塞(Plug)的用途，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是半導體製程中全面平坦化(G…